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NTHD5904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
Q G
V GS
10
8
800
600
3
6
400
2
Q GS
Q GD
4
200
0
C rss
C oss
1
0
I D = 3.3 A
T J = 25 ° C
2
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
1
2 3 4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
6
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
6
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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